Modèle de produit : | EPC2104 |
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Fabricant / marque : | EPC |
La description : | TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 6151 pcs |
Livret des spécifications | EPC2104.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5.5mA |
Package composant fournisseur | Die |
Séries | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 20A, 5V |
Puissance - Max | - |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | Die |
Autres noms | 917-1184-2 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 14 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 50V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 5V |
type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Fonction FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Tension drain-source (Vdss) | 100V |
Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 23A Surface Mount Die |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 23A |