| Modèle de produit : | EPC2102 |
|---|---|
| Fabricant / marque : | EPC |
| La description : | TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 6823 pcs |
| Livret des spécifications | EPC2102.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
| Package composant fournisseur | Die |
| Séries | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 20A, 5V |
| Puissance - Max | - |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | Die |
| Autres noms | 917-1182-2 |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 14 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 30V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 5V |
| type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Fonction FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A Surface Mount Die |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 23A |
EPC
