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EPC2107ENGRT

Modèle de produit : EPC2107ENGRT
Fabricant / marque : EPC
La description : TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 33224 pcs
Livret des spécifications EPC2107ENGRT.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Package composant fournisseur 9-BGA (1.35x1.35)
Séries eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Puissance - Max -
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 9-VFBGA
Autres noms 917-EPC2107ENGRTR
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
type de FET 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Fonction FET GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Description détaillée Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.7A, 500mA
EPC2107ENGRT
EPC EPC Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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