Modèle de produit : |
EPC2107ENGRT |
Fabricant / marque : |
EPC |
La description : |
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE |
État RoHS : |
Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible |
33224 pcs |
Livret des spécifications |
EPC2107ENGRT.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
Package composant fournisseur |
9-BGA (1.35x1.35) |
Séries |
eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V |
Puissance - Max |
- |
Emballage |
Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte |
9-VFBGA |
Autres noms |
917-EPC2107ENGRTR |
Température de fonctionnement |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage |
Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) |
1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs |
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
type de FET |
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
Fonction FET |
GaNFET (Gallium Nitride) |
Tension drain-source (Vdss) |
100V |
Description détaillée |
Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C |
1.7A, 500mA |