| Modèle de produit : |
EPC2101 |
| Fabricant / marque : |
EPC |
| La description : |
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID |
| État RoHS : |
Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible |
6393 pcs |
| Livret des spécifications |
EPC2101.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA |
| Package composant fournisseur |
Die |
| Séries |
eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V |
| Puissance - Max |
- |
| Emballage |
Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte |
Die |
| Autres noms |
917-1181-2 |
| Température de fonctionnement |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage |
Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant |
14 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
300pF @ 30V, 1200pF @ 30V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs |
2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V |
| type de FET |
2 N-Channel (Half Bridge) |
| Fonction FET |
GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tension drain-source (Vdss) |
60V |
| Description détaillée |
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C |
9.5A, 38A |
EPC
