Modèle de produit : | SCT2750NYTB |
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Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
La description : | 1700V .75 OHM 6A SIC FET |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 5498 pcs |
Livret des spécifications | 1.SCT2750NYTB.pdf2.SCT2750NYTB.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 630µA |
Vgs (Max) | +22V, -6V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-268 |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 975 mOhm @ 1.7A, 18V |
Dissipation de puissance (max) | 57W (Tc) |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Autres noms | SCT2750NYTBCT |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 275pF @ 800V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 18V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 18V |
Tension drain-source (Vdss) | 1700V |
Description détaillée | N-Channel 1700V 5.9A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-268 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5.9A (Tc) |