Modèle de produit : | SCT2280KEC |
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Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
La description : | MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 4970 pcs |
Livret des spécifications | 1.SCT2280KEC.pdf2.SCT2280KEC.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1.4mA |
Vgs (Max) | +22V, -6V |
La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Package composant fournisseur | TO-247 |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 364 mOhm @ 4A, 18V |
Dissipation de puissance (max) | 108W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-247-3 |
Autres noms | SCT2280KECU |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 667pF @ 800V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 18V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 18V |
Tension drain-source (Vdss) | 1200V |
Description détaillée | N-Channel 1200V 14A (Tc) 108W (Tc) Through Hole TO-247 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 14A (Tc) |