| Modèle de produit : | SCT2450KEC |
|---|---|
| Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
| La description : | MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5631 pcs |
| Livret des spécifications | 1.SCT2450KEC.pdf2.SCT2450KEC.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 900µA |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Package composant fournisseur | TO-247 |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 585 mOhm @ 3A, 18V |
| Dissipation de puissance (max) | 85W (Tc) |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-247-3 |
| Autres noms | SCT2450KECU |
| Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 463pF @ 800V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 18V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 18V |
| Tension drain-source (Vdss) | 1200V |
| Description détaillée | N-Channel 1200V 10A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 10A (Tc) |
LAPIS Semiconductor
