Modèle de produit : | IMD14T108 |
---|---|
Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
La description : | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 198931 pcs |
Livret des spécifications | IMD14T108.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Package composant fournisseur | SMT6 |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 220 Ohms |
Puissance - Max | 300mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SC-74, SOT-457 |
Autres noms | IMD14T108-ND IMD14T108TR |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 100mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 500mA |
Numéro de pièce de base | MD14 |