Modèle de produit : |
IMD10AT108 |
Fabricant / marque : |
LAPIS Semiconductor |
La description : |
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 |
État RoHS : |
Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible |
240632 pcs |
Livret des spécifications |
1.IMD10AT108.pdf2.IMD10AT108.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) |
50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA |
Transistor Type |
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Package composant fournisseur |
SMT6 |
Séries |
- |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) |
10 kOhms |
Résistance - Base (R1) |
10 kOhms, 100 Ohms |
Puissance - Max |
300mW |
Emballage |
Original-Reel® |
Package / Boîte |
SC-74, SOT-457 |
Autres noms |
IMD10AT108DKR |
Type de montage |
Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) |
1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant |
10 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition |
250MHz, 200MHz |
Description détaillée |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) |
500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) |
100mA, 500mA |
Numéro de pièce de base |
MD10A |