Modèle de produit : | IMD16AT108 |
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Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
La description : | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 363323 pcs |
Livret des spécifications | 1.IMD16AT108.pdf2.IMD16AT108.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Package composant fournisseur | SMT6 |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 22 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 100 kOhms, 2.2 kOhms |
Puissance - Max | 300mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SC-74, SOT-457 |
Autres noms | IMD16AT108-ND IMD16AT108TR |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | - |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA, 500mA |
Numéro de pièce de base | MD16A |