| Modèle de produit : | RN2318(TE85L,F) |
|---|---|
| Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| La description : | TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 1306212 pcs |
| Livret des spécifications | RN2318(TE85L,F).pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur | USM |
| Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
| Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
| Puissance - Max | 100mW |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SC-70, SOT-323 |
| Autres noms | RN2318(TE85LF) RN2318(TE85LF)-ND RN2318(TE85LF)TR RN2318TE85LF |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 16 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 200MHz |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
| Numéro de pièce de base | RN231* |
Toshiba Semiconductor and Storage
