Modèle de produit : | RN2316(TE85L,F) |
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Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage |
La description : | TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 1206979 pcs |
Livret des spécifications | RN2316(TE85L,F).pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Package composant fournisseur | USM |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Puissance - Max | 100mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SC-70, SOT-323 |
Autres noms | RN2316(TE85LF) RN2316(TE85LF)-ND RN2316(TE85LF)TR RN2316TE85LF |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 16 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
Numéro de pièce de base | RN231* |