Modèle de produit : | RN2117(T5L,F,T) |
---|---|
Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage |
La description : | TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 4915 pcs |
Livret des spécifications | RN2117(T5L,F,T).pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Package composant fournisseur | SSM |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Puissance - Max | 100mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SC-75, SOT-416 |
Autres noms | RN2117(T5LFT)TR |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |