| Modèle de produit : | RN2115MFV,L3F |
|---|---|
| Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| La description : | X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 999976 pcs |
| Livret des spécifications | RN2115MFV,L3F.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur | VESM |
| Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
| Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Puissance - Max | 150mW |
| Package / Boîte | SOT-723 |
| Autres noms | RN2115MFVL3F |
| Type de montage | Surface Mount |
| Délai de livraison standard du fabricant | 16 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
