Modèle de produit : | RN1106MFV(TL3,T) |
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Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage |
La description : | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 5346 pcs |
Livret des spécifications | RN1106MFV(TL3,T).pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Package composant fournisseur | VESM |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Puissance - Max | 150mW |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | SOT-723 |
Autres noms | RN1106MFV(TL3T)CT |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |