| Modèle de produit : | RN1106ACT(TPL3) |
|---|---|
| Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| La description : | TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4369 pcs |
| Livret des spécifications | RN1106ACT(TPL3).pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur | CST3 |
| Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
| Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Puissance - Max | 100mW |
| Emballage | Original-Reel® |
| Package / Boîte | SC-101, SOT-883 |
| Autres noms | RN1106ACT(TPL3)DKR |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 80mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
