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NTB5426NT4G

Modèle de produit : NTB5426NT4G
Fabricant / marque : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5187 pcs
Livret des spécifications NTB5426NT4G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D2PAK
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 60A, 10V
Dissipation de puissance (max) 215W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5800pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 60V
Description détaillée N-Channel 60V 120A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)
NTB5426NT4G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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