Modèle de produit : | NTB5405NT4G |
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Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description : | MOSFET N-CH 40V 116A D2PAK |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 21937 pcs |
Livret des spécifications | NTB5405NT4G.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | D2PAK |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 40A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 3W (Ta), 150W (Tc) |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Autres noms | NTB5405NT4GOSCT |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 25 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 32V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 40V |
Description détaillée | N-Channel 40V 116A (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 116A (Tc) |