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NSVUMC3NT1G

Modèle de produit : NSVUMC3NT1G
Fabricant / marque : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description : TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC88
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 298030 pcs
Livret des spécifications NSVUMC3NT1G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms
Résistance - Base (R1) 10 kOhms
Puissance - Max 150mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 5 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition -
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
NSVUMC3NT1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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