| Modèle de produit : |
NSVTB60BDW1T1G |
| Fabricant / marque : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description : |
TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6 |
| État RoHS : |
Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible |
351978 pcs |
| Livret des spécifications |
NSVTB60BDW1T1G.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) |
50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic |
250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
| Transistor Type |
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Package composant fournisseur |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Séries |
Automotive, AEC-Q101 |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) |
47 kOhms |
| Résistance - Base (R1) |
22 kOhms |
| Puissance - Max |
250mW |
| Emballage |
Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte |
6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Type de montage |
Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant |
40 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition |
- |
| Description détaillée |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 150mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) |
500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) |
150mA |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
