| Modèle de produit : | J112-D27Z |
|---|---|
| Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description : | JFET N-CH 35V 625MW TO92 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 368575 pcs |
| Livret des spécifications | J112-D27Z.pdf |
| Tension - Cutoff (VGS off) @ Id | 1V @ 1µA |
| Tension - Ventilation (V (BR) ESG) | 35V |
| Package composant fournisseur | TO-92-3 |
| Séries | - |
| Résistance - RDS (On) | 50 Ohms |
| Puissance - Max | 625mW |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Autres noms | J112-D27ZTR J112_D27Z J112_D27Z-ND J112_D27ZTR J112_D27ZTR-ND |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 6 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| type de FET | N-Channel |
| Description détaillée | JFET N-Channel 35V 625mW Through Hole TO-92-3 |
| Courant - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0) | 5mA @ 15V |
| Numéro de pièce de base | J112 |
