Modèle de produit : | J111RL1G |
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Fabricant / marque : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
La description : | JFET N-CH 35V 0.35W TO92 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 4827 pcs |
Livret des spécifications | J111RL1G.pdf |
Tension - Cutoff (VGS off) @ Id | 3V @ 1µA |
Tension - Ventilation (V (BR) ESG) | 35V |
Package composant fournisseur | TO-92-3 |
Séries | - |
Résistance - RDS (On) | 30 Ohms |
Puissance - Max | 350mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
type de FET | N-Channel |
Description détaillée | JFET N-Channel 35V 350mW Through Hole TO-92-3 |
Courant - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0) | 20mA @ 15V |
Numéro de pièce de base | J111 |