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IS61NVP51236-250B3-TR

Modèle de produit : IS61NVP51236-250B3-TR
Fabricant / marque : ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
La description : IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4645 pcs
Livret des spécifications IS61NVP51236-250B3-TR.pdf
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Tension - Alimentation 2.375 V ~ 2.625 V
La technologie SRAM - Synchronous
Package composant fournisseur 165-TFBGA (13x15)
Séries -
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 165-TBGA
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Type de mémoire Volatile
Taille mémoire 18Mb (512K x 36)
Interface mémoire Parallel
Format de mémoire SRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 250MHz 2.6ns 165-TFBGA (13x15)
Fréquence d'horloge 250MHz
Temps d'accès 2.6ns
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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