Modèle de produit : | IS61NVP51236-200B3LI |
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Fabricant / marque : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
La description : | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 4889 pcs |
Livret des spécifications | IS61NVP51236-200B3LI.pdf |
Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Tension - Alimentation | 2.375 V ~ 2.625 V |
La technologie | SRAM - Synchronous |
Package composant fournisseur | 165-TFBGA (13x15) |
Séries | - |
Emballage | Tray |
Package / Boîte | 165-TBGA |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
Type de mémoire | Volatile |
Taille mémoire | 18Mb (512K x 36) |
Interface mémoire | Parallel |
Format de mémoire | SRAM |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée | SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 165-TFBGA (13x15) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Temps d'accès | 3.1ns |