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GP2M020A060N

Modèle de produit : GP2M020A060N
Fabricant / marque : Global Power Technologies Group
La description : MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4828 pcs
Livret des spécifications GP2M020A060N.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-3PN
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 330 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max) 347W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3
Autres noms 1560-1214-1
1560-1214-1-ND
1560-1214-5
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3184pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 600V
Description détaillée N-Channel 600V 20A (Tc) 347W (Tc) Through Hole TO-3PN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)
GP2M020A060N
Global Power Technologies Group Global Power Technologies Group Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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