Modèle de produit : | GP2M012A080NG |
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Fabricant / marque : | Global Power Technologies Group |
La description : | MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 5013 pcs |
Livret des spécifications | GP2M012A080NG.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-3PN |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 6A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 416W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-3P-3, SC-65-3 |
Autres noms | 1560-1211-1 1560-1211-1-ND 1560-1211-5 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3370pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 79nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 800V |
Description détaillée | N-Channel 800V 12A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-3PN |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 12A (Tc) |