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GP2M002A065FG

Modèle de produit : GP2M002A065FG
Fabricant / marque : Global Power Technologies Group
La description : MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4441 pcs
Livret des spécifications GP2M002A065FG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220F
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6 Ohm @ 900mA, 10V
Dissipation de puissance (max) 17.3W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 353pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 650V
Description détaillée N-Channel 650V 1.8A (Tc) 17.3W (Tc) Through Hole TO-220F
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.8A (Tc)
GP2M002A065FG
Global Power Technologies Group Global Power Technologies Group Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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