Modèle de produit : | GP2M002A065CG |
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Fabricant / marque : | Global Power Technologies Group |
La description : | MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 5804 pcs |
Livret des spécifications | GP2M002A065CG.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | D-Pak |
Séries | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 Ohm @ 900mA, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 52W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 353pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 650V |
Description détaillée | N-Channel 650V 1.8A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount D-Pak |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1.8A (Tc) |