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APTGT35H120T3G

Modèle de produit : APTGT35H120T3G
Fabricant / marque : Microsemi
La description : IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 855 pcs
Livret des spécifications 1.APTGT35H120T3G.pdf2.APTGT35H120T3G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A
Package composant fournisseur SP3
Séries -
Puissance - Max 208W
Package / Boîte SP3
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance Yes
Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 2.5nF @ 25V
Contribution Standard
type de IGBT Trench Field Stop
Description détaillée IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 55A 208W Chassis Mount SP3
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 250µA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 55A
Configuration Full Bridge Inverter
Microsemi Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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