| Modèle de produit : | APTGT35DA120D1G |
|---|---|
| Fabricant / marque : | Microsemi |
| La description : | IGBT 1200V 55A 205W D1 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4095 pcs |
| Livret des spécifications | APTGT35DA120D1G.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 1200V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
| Package composant fournisseur | D1 |
| Séries | - |
| Puissance - Max | 205W |
| Package / Boîte | D1 |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC thermistance | No |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 2.5nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| type de IGBT | Trench Field Stop |
| Description détaillée | IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 205W Chassis Mount D1 |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 5mA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 55A |
| Configuration | Single |
