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ZXTN25100DGQTA

Modèle de produit : ZXTN25100DGQTA
Fabricant / marque : Diodes Incorporated
La description : IC PWR TRANSISTOR SOT223
État RoHS : Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 73392 pcs
Livret des spécifications ZXTN25100DGQTA.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 600mA, 3A
Transistor Type NPN
Package composant fournisseur SOT-223
Séries -
Puissance - Max 1.2W
Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA
Autres noms ZXTN25100DGQTADICT
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 175MHz
Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 175MHz 1.2W Surface Mount SOT-223
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 10mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 3A
ZXTN25100DGQTA
Diodes Incorporated Diodes Incorporated Les images sont fournies à titre indicatif. Voir Spécifications du produit pour plus de détails.
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