| Modèle de produit : | ZXMN3G32DN8TA |
|---|---|
| Fabricant / marque : | Diodes Incorporated |
| La description : | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 57007 pcs |
| Livret des spécifications | ZXMN3G32DN8TA.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Package composant fournisseur | 8-SO |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 6A, 10V |
| Puissance - Max | 1.8W |
| Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms | 1034-ZXMN3G32DN8CT |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 26 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 472pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 1.8W Surface Mount 8-SO |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5.5A |
Diodes Incorporated
