Modèle de produit : | W9412G6JH-4 |
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Fabricant / marque : | Winbond Electronics Corporation |
La description : | IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 4391 pcs |
Livret des spécifications | W9412G6JH-4.pdf |
Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
Tension - Alimentation | 2.4 V ~ 2.7 V |
La technologie | SDRAM - DDR |
Package composant fournisseur | 66-TSOP II |
Séries | - |
Emballage | Tray |
Package / Boîte | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
Type de mémoire | Volatile |
Taille mémoire | 128Mb (8M x 16) |
Interface mémoire | Parallel |
Format de mémoire | DRAM |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée | SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 250MHz 48ns 66-TSOP II |
Fréquence d'horloge | 250MHz |
Temps d'accès | 48ns |