| Modèle de produit : | UNR5112G0L |
|---|---|
| Fabricant / marque : | Panasonic |
| La description : | TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 3973 pcs |
| Livret des spécifications | UNR5112G0L.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur | SMini3-F2 |
| Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 22 kOhms |
| Résistance - Base (R1) | 22 kOhms |
| Puissance - Max | 150mW |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SC-85 |
| Autres noms | UNR5112G0LTR |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 80MHz |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
Panasonic
