Modèle de produit : | UNR421K00A |
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Fabricant / marque : | Panasonic |
La description : | TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 310824 pcs |
Livret des spécifications | UNR421K00A.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Package composant fournisseur | NS-B1 |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Puissance - Max | 300mW |
Emballage | Tape & Box (TB) |
Package / Boîte | NS-B1 |
Autres noms | UNR421K00ATB |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 150MHz |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 300mW Through Hole NS-B1 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |