Modèle de produit : | UNR412400A |
---|---|
Fabricant / marque : | Panasonic |
La description : | TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 4047 pcs |
Livret des spécifications | UNR412400A.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 100mA |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Package composant fournisseur | NS-B1 |
Séries | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Puissance - Max | 300mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 3-SSIP |
Autres noms | UN4124-(TA) UNR412400ATB |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole NS-B1 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 100mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 1µA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 500mA |