Modèle de produit : |
UMG11NTR |
Fabricant / marque : |
LAPIS Semiconductor |
La description : |
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 |
État RoHS : |
Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible |
361500 pcs |
Livret des spécifications |
1.UMG11NTR.pdf2.UMG11NTR.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) |
50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor Type |
2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Package composant fournisseur |
UMT5 |
Séries |
- |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) |
47 kOhms |
Résistance - Base (R1) |
2.2 kOhms |
Puissance - Max |
150mW |
Emballage |
Original-Reel® |
Package / Boîte |
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
Autres noms |
UMG11NDKR |
Type de montage |
Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) |
1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant |
10 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition |
250MHz |
Description détaillée |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
80 @ 10mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) |
500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) |
100mA |
Numéro de pièce de base |
*MG11 |