Modèle de produit : |
UMF5NTR |
Fabricant / marque : |
LAPIS Semiconductor |
La description : |
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6 |
État RoHS : |
Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible |
287505 pcs |
Livret des spécifications |
1.UMF5NTR.pdf2.UMF5NTR.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) |
50V, 12V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
Transistor Type |
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Package composant fournisseur |
UMT6 |
Séries |
- |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) |
47 kOhms |
Résistance - Base (R1) |
47 kOhms |
Puissance - Max |
150mW |
Emballage |
Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte |
6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Type de montage |
Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) |
1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant |
10 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition |
250MHz, 260MHz |
Description détaillée |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount UMT6 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) |
500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) |
100mA, 500mA |
Numéro de pièce de base |
*MF5 |