| Modèle de produit : | UMF23NTR |
|---|---|
| Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
| La description : | TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 437597 pcs |
| Livret des spécifications | UMF23NTR.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
| Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Package composant fournisseur | UMT6 |
| Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
| Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
| Puissance - Max | 150mW |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 250MHz, 140MHz |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 100mA, 150mA 250MHz, 140MHz 150mW Surface Mount UMT6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA, 150mA |
