Modèle de produit : | UMB2NFHATN |
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Fabricant / marque : | LAPIS Semiconductor |
La description : | PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 616909 pcs |
Livret des spécifications | 1.UMB2NFHATN.pdf2.UMB2NFHATN.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | - |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor Type | 2 PNP Pre-Biased (Dual) |
Package composant fournisseur | UMT6 |
Séries | Automotive, AEC-Q101 |
Puissance - Max | 150mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Autres noms | UMB2NFHATNTR |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 7 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) | - |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |