Modèle de produit : |
UMA1NTR |
Fabricant / marque : |
LAPIS Semiconductor |
La description : |
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 |
État RoHS : |
Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible |
785692 pcs |
Livret des spécifications |
1.UMA1NTR.pdf2.UMA1NTR.pdf |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) |
50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor Type |
2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Package composant fournisseur |
UMT5 |
Séries |
- |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) |
22 kOhms |
Résistance - Base (R1) |
22 kOhms |
Puissance - Max |
150mW |
Emballage |
Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte |
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
Type de montage |
Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) |
1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant |
10 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition |
250MHz |
Description détaillée |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
56 @ 5mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max) |
500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max) |
100mA |
Numéro de pièce de base |
MA1 |