Modèle de produit : | TK72E12N1,S1X |
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Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage |
La description : | MOSFET N CH 120V 72A TO-220 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 13561 pcs |
Livret des spécifications | TK72E12N1,S1X.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-220-3 |
Séries | U-MOSVIII-H |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 36A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 255W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-220-3 |
Autres noms | TK72E12N1,S1X(S TK72E12N1S1X |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8100pF @ 60V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 120V |
Description détaillée | N-Channel 120V 72A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 72A (Ta) |