Modèle de produit : | TK50P03M1(T6RSS-Q) |
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Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage |
La description : | MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 72714 pcs |
Livret des spécifications | TK50P03M1(T6RSS-Q).pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 200µA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | DP |
Séries | U-MOSVI-H |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 25A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 47W (Tc) |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Autres noms | TK50P03M1(T6RSSQ)CT TK50P03M1T6RSSQ |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 25.3nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 30V |
Description détaillée | N-Channel 30V 50A (Ta) 47W (Tc) Surface Mount DP |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 50A (Ta) |