| Modèle de produit : | TK45P03M1,RQ(S |
|---|---|
| Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| La description : | MOSFET N-CH 30V 45A DPAK-3 |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4103 pcs |
| Livret des spécifications | 1.TK45P03M1,RQ(S.pdf2.TK45P03M1,RQ(S.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 200µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | DPAK |
| Séries | U-MOSVI-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7 mOhm @ 22.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | - |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms | TK45P03M1RQ(S TK45P03M1RQS |
| Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | N-Channel 30V 45A (Ta) Surface Mount DPAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 45A (Ta) |
Toshiba Semiconductor and Storage
