| Modèle de produit : | TK040N65Z,S1F |
|---|---|
| Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| La description : | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4456 pcs |
| Livret des spécifications | TK040N65Z,S1F.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.85mA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-247 |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 28.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 360W (Tc) |
| Package / Boîte | TO-247-3 |
| Autres noms | TK040N65Z,S1F(S TK040N65ZS1F |
| Température de fonctionnement | 150°C |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | Not Applicable |
| Délai de livraison standard du fabricant | 24 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6250pF @ 300V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650V |
| Description détaillée | N-Channel 650V 57A (Ta) 360W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 57A (Ta) |
Toshiba Semiconductor and Storage
