Modèle de produit : | TJ30S06M3L(T6L1,NQ |
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Fabricant / marque : | Toshiba Semiconductor and Storage |
La description : | MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 43346 pcs |
Livret des spécifications | 1.TJ30S06M3L(T6L1,NQ.pdf2.TJ30S06M3L(T6L1,NQ.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Vgs (Max) | +10V, -20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | DPAK+ |
Séries | U-MOSVI |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.8 mOhm @ 15A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 68W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Autres noms | TJ30S06M3L(T6L1NQ TJ30S06M3LT6L1NQ |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
type de FET | P-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 60V |
Description détaillée | P-Channel 60V 30A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount DPAK+ |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 30A (Ta) |