| Modèle de produit : | STU6N60M2 |
|---|---|
| Fabricant / marque : | STMicroelectronics |
| La description : | MOSFET N-CH 600V IPAK |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 51444 pcs |
| Livret des spécifications | STU6N60M2.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | I-PAK |
| Séries | MDmesh™ II Plus |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 2.25A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 60W (Tc) |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Autres noms | 497-13978-5 STU6N60M2-ND |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 232pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| Description détaillée | N-Channel 600V 4.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4.5A (Tc) |
STMicroelectronics
