Modèle de produit : | STN1N20 |
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Fabricant / marque : | STMicroelectronics |
La description : | MOSFET N-CH 200V 1A SOT223 |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 25158 pcs |
Livret des spécifications | STN1N20.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | SOT-223 |
Séries | MESH OVERLAY™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 2.9W (Tc) |
Emballage | Original-Reel® |
Package / Boîte | TO-261-4, TO-261AA |
Autres noms | 497-3176-6 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 206pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 15.7nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 200V |
Description détaillée | N-Channel 200V 1A (Tc) 2.9W (Tc) Surface Mount SOT-223 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 1A (Tc) |