| Modèle de produit : | STGWT80H65DFB |
|---|---|
| Fabricant / marque : | STMicroelectronics |
| La description : | IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L |
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 8385 pcs |
| Livret des spécifications | STGWT80H65DFB.pdf |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 650V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
| Condition de test | 400V, 80A, 10 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 84ns/280ns |
| énergie de commutation | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Package composant fournisseur | TO-3P |
| Séries | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 85ns |
| Puissance - Max | 469W |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Autres noms | 497-14234-5 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée | Standard |
| type de IGBT | Trench Field Stop |
| gate charge | 414nC |
| Description détaillée | IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-3P |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm) | 240A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 120A |
STMicroelectronics
