Modèle de produit : | STD80N10F7 |
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Fabricant / marque : | STMicroelectronics |
La description : | MOSFET N-CH 100V 70A DPAK |
État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 26414 pcs |
Livret des spécifications | STD80N10F7.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | DPAK |
Séries | DeepGATE™, STripFET™ VII |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 40A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 85W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Autres noms | 497-14812-2 STD80N10F7-ND |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 50V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 100V |
Description détaillée | N-Channel 100V 70A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 70A (Tc) |